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Growth of 3C-SiC on (100) Si wafers has been carried out by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), using a H(2) + SiH(4) + C(3)H(8) gas mixture at about 1000 degreesC. No carbonization layer was performed. Micro-Raman measurements yield the presence of microcrystalline SiC matrix, while neither carbon nor silicon clusterization in amorphous phase was detected with optimized deposition conditions. Transmission electron microscopy has been used to analyze the orientation of the films and the surface growth: the presence of voids and edge dislocations at the interface was revealed.
Polycrystalline SiC growth and characterization / C., R., E., A.B., F., G., P., M., U. M., M., Barucca, G.. - In: APPLIED SURFACE SCIENCE. - ISSN 0169-4332. - 238:1-4(2004), pp. 331-335. [10.1016/j.apsusc.2004.05.225]
Polycrystalline SiC growth and characterization
C. RICCIARDI;E. AIMO BOOT;F. GIORGIS;P. MANDRACCI;U. M. MEOTTO;BARUCCA, Gianni
2004-01-01
Abstract
Growth of 3C-SiC on (100) Si wafers has been carried out by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), using a H(2) + SiH(4) + C(3)H(8) gas mixture at about 1000 degreesC. No carbonization layer was performed. Micro-Raman measurements yield the presence of microcrystalline SiC matrix, while neither carbon nor silicon clusterization in amorphous phase was detected with optimized deposition conditions. Transmission electron microscopy has been used to analyze the orientation of the films and the surface growth: the presence of voids and edge dislocations at the interface was revealed.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11566/39689
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
