We analyse the operation of nano-FET transistors, based on CNT. Electronic properties of CNT, such as dispersion curves, are also investigated, by means of e.m. solvers.
Uso di modelli analitici e di simulatori e.m. standard, per l’analisi delle proprietà elettroniche dei CNT’s / Rozzi, Tullio; Mencarelli, Davide; L., Maccari; DI DONATO, Andrea; Farina, Marco. - STAMPA. - (2006), pp. 492-495.
Uso di modelli analitici e di simulatori e.m. standard, per l’analisi delle proprietà elettroniche dei CNT’s
ROZZI, TULLIO;MENCARELLI, Davide;DI DONATO, Andrea;FARINA, Marco
2006-01-01
Abstract
We analyse the operation of nano-FET transistors, based on CNT. Electronic properties of CNT, such as dispersion curves, are also investigated, by means of e.m. solvers.File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
