Structural properties of 3C-SiC layers grown on Si substrates by electron cyclotron resonance CVD technique.

Giorgis, F.; Chiodoni, A.; Cicero, G.; Ferrero, S.; Mandracci, P.; Pirri, C. F.; Barucca, Gianni; Calcagno, L.; Foti, G.; Musumeci, P.; Reitano, R.

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Structural properties of 3C-SiC layers grown on Si substrates by electron cyclotron resonance CVD technique. / F. GIORGIS; A. CHIODONI; G. CICERO; S. FERRERO; P. MANDRACCI; C.F. PIRRI; G. BARUCCA; L. CALCAGNO; G. FOTI; P. MUSUMECI; R. REITANO. - 650(2001), p. H5.9.1.. ((Intervento presentato al convegno Mat. Res. Soc. Symp..

Titolo:	Structural properties of 3C-SiC layers grown on Si substrates by electron cyclotron resonance CVD technique.
Autori:	F. GIORGIS A. CHIODONI G. CICERO S. FERRERO P. MANDRACCI C. F. PIRRI BARUCCA, Gianni L. CALCAGNO G. FOTI P. MUSUMECI R. REITANO mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2001
Handle:	http://hdl.handle.net/11566/49785
Appare nelle tipologie:	4.1 Contributo in Atti di convegno

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