A small-signal high-frequency analysis of the MOS transistor including mobility degradation effects / Conti, M., C., T., G., M.. - STAMPA. - (1988), pp. 15-22. (Modeling & Simulation“ Rio de Janeiro 13-15 oct. 1988).
A small-signal high-frequency analysis of the MOS transistor including mobility degradation effects
CONTI, MASSIMO;
1988-01-01
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