A small-signal high-frequency analysis of the MOS transistor including mobility degradation effects / Conti, Massimo; C., Turchetti; G., Masetti. - STAMPA. - (1988), pp. 15-22. (Intervento presentato al convegno Modeling & Simulation“ tenutosi a Rio de Janeiro nel 13-15 oct. 1988).
A small-signal high-frequency analysis of the MOS transistor including mobility degradation effects
CONTI, MASSIMO;
1988-01-01
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